金屬有機物化學氣相沉積

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更新時間: 2013-08-29

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金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)技術主要用於化合物半導體薄膜的製備,比如GaN 藍光LED 或其他光電子器件外延片的材料生長。

 

金屬有機物化學氣相沉積 -名稱

        金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)  

 

金屬有機物化學氣相沉積 -簡介


        又稱有機金屬化合物氣相澱積法。一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。該方法現在主要用於化合物半導體的氣相生長上。用該法製備薄膜時,作為含有化合物半導體元素的原料化合物,必須滿足常溫穩定且易處理,在室溫附近有適當的蒸氣壓,反應的副產物不應妨礙晶體生長,不應污染生長層等條件。因此常選用金屬的烷基或芳基衍生物,羥基衍生物、羥基衍生物等為原料。它最主要的特點是沉積溫度低。另外由於不採用鹵化物原料,因此在沉積中不存在刻蝕反應;適用範圍廣,幾乎可生長所有化合物和合金半導體;生長溫度範圍寬,適宜大批量生產。但該方法也存在一些缺點:難以進行原位監測生長過程,許多有機金屬化合物蒸氣有毒、易燃;反應溫度低,因此有時在氣相中就發生反應。

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