法拉第贗電容

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更新時間: 2013-09-04

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繼雙電層電容器后,又發展了贗電容器。贗電容,也稱法拉第准電容,是在電極表面或體相中的二維或准二維空間上,電活性物質進行欠電位沉積,發生高度可逆的化學吸附,脫附或氧化,還原反應,產生和電極充電電位有關的電容。贗電容不僅在電極表面,而且可在整個電極內部產生,因而可獲得比雙電層電容更高的電容量和能量密度。在相同電極面積的情況下,贗電容可以是雙電層電容量的10~100倍。

  繼雙電層電容器后,又發展了贗電容器。贗電容,也稱法拉第准電容,是在電極表面或體相中的二維或准二維空間上,電活性物質進行欠電位沉積,發生高度可逆的化學吸附,脫附或氧化,還原反應,產生和電極充電電位有關的電容。贗電容不僅在電極表面,而且可在整個電極內部產生,因而可獲得比雙電層電容更高的電容量和能量密度。在相同電極面積的情況下,贗電容可以是雙電層電容量的10~100倍。


  目前贗電容電極材料主要為一些金屬氧化物和導電聚合物。目前對金屬氧化物電極電化學電容器所用電極材料的研究,主要是一些過渡金屬氧化物, 如a—MnO2『nH20、a—V205•nH20、a—RuO2•nH20、IrO2、Ni0 、H3PM ol2040『nH20、W 03、Pb02、Co304、SrRuO3等,另外還有發展金屬的氮化物y-M~N作電極材料。金屬氧化物基電容器目前研究最為成功的電極材料主要是氧化釕, 由於貴金屬的資源有限,價格過高將限制對它的使用,對於金屬氧化物電容器的研究主要在於降低材料的成本,尋找較廉價的材料。

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