化學氣相沉積技術

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更新時間: 2013-08-26

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化學氣相沉積是製造微電子組件時,被用來沉積出某種薄膜(film)的技術,所沉積出的薄膜可能是介電材料(絕緣體)(dielectrics)、導體、或半導體。在進行化學氣相沉積製程時,包含有被沉積材料之原子的氣體,會被導入受到嚴密控制的製程反應室內。當這些原子在受熱的昌圓表面上起化學反應時,會在晶圓表面產生一層固態薄膜。而此一化學反應通常必須使用單一或多種能量源(例如熱能或無線電頻率功率)。
CVD製程產生的薄膜厚度從低於0.5微米到數微米都有,不過最重要的是其厚度都必須足夠均勻。較為常見的CVD薄膜包括有:
■ 二氣化硅(通常直接稱為氧化層)
■ 氮化硅
■ 多晶硅
■ 耐火金屬與這類金屬之其硅化物
可作為半導體組件絕緣體的二氧化硅薄膜與電漿氮化物介電層(plasmas nitride dielectrics)是目前CVD技術最廣泛的應用。這類薄膜材料可以在晶元內部構成三種主要的介質薄膜:內層介電層(ILD)、內金屬介電層(IMD)、以及保護層。此外、金層化學氣相沉積(包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等)也是一種熱門的CVD應用。

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