內存非同步工作模式

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更新時間: 2013-08-28

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內存非同步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存非同步工作模式。
最早的內存非同步工作模式出現在早期的主板晶元組中,可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz),從而可以提高系統內存性能或者使老內存繼續發揮餘熱。
在正常的工作模式(CPU不超頻)下,目前不少主板晶元組也支持內存非同步工作模式,例如Intel 910GL晶元組,僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了),只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。
在CPU超頻的情況下,為了不使內存拖CPU超頻能力的後腿,此時可以調低內存的工作頻率以便於超頻,例如AMD的Socket 939介面的Opteron 144非常容易超頻,不少產品的外頻都可以輕鬆超上300MHz,而此如果在內存同步的工作模式下,此時內存的等效頻率將高達DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之後,前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到),而後者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率),由此可見,正確設置內存非同步模式有助於超頻成功。
目前的主板晶元組幾乎都支持內存非同步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693晶元組以後全部都提供了此功能。

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