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更新時間: 2013-09-05

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光刻是利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術,在工件表面製取精密、微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。光刻是製造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一,並已用於刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。

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1 光刻 -光刻

 

2 光刻 -正文

  利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術,在工件表面製取精密、微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。光刻原理雖然在19世紀初就為人們所知,但長期以來由於缺乏優良的光致抗蝕劑而未得到應用。直到20世紀50年代,美國製成高解析度和優異抗蝕性能的柯達光致抗蝕劑(KPR)之後,光刻技術才迅速發展起來,並開始用在半導體工業方面。光刻是製造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一,並已用於刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。
  光刻光刻的基本原理是:利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點,將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導體晶片二氧化硅的主要步驟(見圖)是:①塗布光致抗蝕劑;②套准掩模板並曝光:③用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層;④用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層;⑤去除已感光的光致抗蝕劑層。
  光致抗蝕劑是一種對光敏感的高分子溶液,種類很多,根據光化學反應的特點一般可分為正性和負性兩大類。凡用顯影液能把感光的部分溶解去除的稱為正性光致抗蝕劑;用顯影液能把未感光的部分溶解去除的稱為負性光致抗蝕劑。
  光刻的精度很高,可達微米數量級,為使蝕刻線條清晰、邊緣陡直、解析度小於1微米的超微細圖形,可採用遠紫外曝光、X射線曝光、電子束掃描曝光,以及等離子體干法蝕刻等新技術。
  參考書目
 李家植編:《半導體化學原理》,科學出版社,北京,1980。

 

3 光刻 -配圖

 

4 光刻 -相關連接

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