互補性氧化金屬半導體CMOS

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更新時間: 2013-09-04

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互補性氧化金屬半導體CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一樣同為在掃描儀中可記錄光線變化的半導體。目前CMOS感光器件主要應用於少數名片掃描儀和文件掃描儀。CMOS的製造技術和一般計算機晶元沒什麼差別,主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導體,使其在CMOS上共存著帶N(帶–電) 和 P(帶+電)級的半導體,這兩個互補效應所產生的電流即可被處理晶元紀錄和解讀成影像。然而,CMOS的缺點就是太容易出現雜點, 這主要是因為早期的設計使CMOS在處理快速變化的影像時,由於電流變化過於頻繁而會產生過熱的現象。  
       出現轉機是在1998年,當時國際掃描儀市場的競爭非常激烈,各大廠家都使出了降價的法寶,造成了掃描儀生產廠商的行業性虧損。一些廠家開始重新搬出接觸式感光器件,經過改進,使其解析度達到了600 dpi,然後冠以CIS技術名稱,以新技術的面目推向市場,居然取得了相當的成功。不過就性能而言,接觸式感光器件存在著嚴重的先天不足,首先由於不能使用鏡頭,只能貼近稿件掃描,其實清晰度遠遠達不到標稱的批標,同時硫化鎘光敏電阻本身漏電很大,各感光單元之間干擾嚴重,進一步降低了清晰度,而且由於無法實現同時製造三條平行的感光單元同時實現三色掃描,接觸式感光器件不能使用常用的冷陰極燈管,而不得不使用發光二極體(LED)陣列作為光源,這種光源無論在光色還是在光線的均勻度上都是比較差的。而且由於LED陣列是由數百個發光二極體組成,一旦有一個損壞就意味著整個陣列的報廢,這種產品的壽命比較短,該類感光器件的溫度係數很大,,周圍環境溫度的變化將對掃描儀的掃描結果產生很大影響,因此,你要想獲得一個穩定的掃描結果,最好在一個溫度恆定的房間內工作。

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