中國科學院半導體研究所

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更新時間: 2013-08-24

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半導體研究所是1956年按照"12年科學發展遠景規劃"中"四項緊急措施"開始著手籌建的,是集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用於一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究所,正式成立於1960年。

 

中國科學院半導體研究所 -介紹

中國科學院半導體研究所中國科學院半導體研究所
半導體研究所是1956年按照"12年科學發展遠景規劃"中"四項緊急措施"開始著手籌建的,是集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用於一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究所,正式成立於1960年。

中國科學院半導體研究所 -貢獻

建所以來,半導體所在中國半導體科技發展的各個歷史階段都曾做出過突出的貢獻。研製出中國第一隻鍺晶體管,硅平面晶體管,固體組件;第一根鍺單晶,硅單晶,砷化鎵單晶;設計製造出第一台硅單晶爐,區熔爐……。直接為國家經濟建設和發展作出了重要貢獻。

目前,所主要

中國科學院半導體研究所 -研究領域
為:

光電子及其集成技術
體、薄膜、微結構半導體材料科學技術
低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究
半導體人工神經網路和特種微電子技術。

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